Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTamaño de la Memoria
64kbit
Tipo de Interfaz
Parallel
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
28
Organización
8K x 8 bit
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Dimensiones
18.1 x 7.6 x 2.35mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
120ns
Almacenamiento de datos
10año
Número de palabras
8K
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 C
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
El dispositivo Microchip AT28HC64B es una EEPROM en paralelo de 64 kb de alto rendimiento que ofrece tiempos de acceso de hasta 55 ns con una disipación de energía de 220 mW. Si no se selecciona, la corriente en espera CMOS es inferior a 100 μA. Se accede del mismo modo que a una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura, sin componentes externos, e incluye un registro de páginas de 64 bytes para poder escribir un máximo de 64 bytes a la vez. El mecanismo de protección de datos con software opcional protege contra la escritura accidental y una EEPROM adicional de 64 bytes permite identificar o realizar un seguimiento del dispositivo.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Tube of 27) (Sin IVA)
27
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27
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Brand
MicrochipTamaño de la Memoria
64kbit
Tipo de Interfaz
Parallel
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
28
Organización
8K x 8 bit
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Dimensiones
18.1 x 7.6 x 2.35mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
120ns
Almacenamiento de datos
10año
Número de palabras
8K
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 C
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
El dispositivo Microchip AT28HC64B es una EEPROM en paralelo de 64 kb de alto rendimiento que ofrece tiempos de acceso de hasta 55 ns con una disipación de energía de 220 mW. Si no se selecciona, la corriente en espera CMOS es inferior a 100 μA. Se accede del mismo modo que a una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura, sin componentes externos, e incluye un registro de páginas de 64 bytes para poder escribir un máximo de 64 bytes a la vez. El mecanismo de protección de datos con software opcional protege contra la escritura accidental y una EEPROM adicional de 64 bytes permite identificar o realizar un seguimiento del dispositivo.
