Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
2N7000
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.08mm
Profundidad
4.06mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.85V
Altura
5.33mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
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P.O.A.
Empaque de Producción (Bolsa)
25
P.O.A.
Empaque de Producción (Bolsa)
25
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Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
2N7000
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.08mm
Profundidad
4.06mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.85V
Altura
5.33mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China