Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
2N7000
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.08mm
Profundidad
4.06mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.85V
Altura
5.33mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
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$ 570
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 678,30
Each (In a Pack of 25) (IVA Incluido)
25
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25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
25 - 75 | $ 570 | $ 14.250 |
100+ | $ 523 | $ 13.075 |
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Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
2N7000
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.08mm
Profundidad
4.06mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.85V
Altura
5.33mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China