MOSFET Microchip 2N7000-G, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
2N7000
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Profundidad
4.06mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.08mm
Altura
5.33mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.85V
País de Origen
Taiwan, Province Of China
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$ 472
Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (Sin IVA)
$ 561,68
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N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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2N7000
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Profundidad
4.06mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.08mm
Altura
5.33mm
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