MOSFET MagnaChip MDS5652URH, VDSS 30 V, ID 7,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11.7 nC @ 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.75V
Altura
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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P.O.A.
25
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N
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Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11.7 nC @ 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
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Altura
1.5mm
País de Origen
China
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