Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSCorriente Máxima Continua del Colector
650 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±30V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 kW
Tipo de Encapsulado
SimBus F
Configuration
Dual
Tipo de montaje
PCB Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
11
Transistor Configuration
Series
Dimensiones
152 x 62 x 17mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
País de Origen
Germany
Datos del producto
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 208.222
Each (In a Box of 3) (Sin IVA)
$ 247.784,18
Each (In a Box of 3) (IVA Incluido)
3
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IXYSCorriente Máxima Continua del Colector
650 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±30V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 kW
Tipo de Encapsulado
SimBus F
Configuration
Dual
Tipo de montaje
PCB Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
11
Transistor Configuration
Series
Dimensiones
152 x 62 x 17mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
País de Origen
Germany
Datos del producto
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.