Transistor MOSFET International Rectifier IRFB4233PBF, VDSS 230 V, ID 56 A, TO-220AB de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

56 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

230 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

37 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

370000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

120 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de funcionamiento máxima

+175 °C

Longitud:

10.66mm

Ancho

4.82mm

Series

HEXFET

Altura

9.02mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-40 ºC