MOSFET Infineon SPW35N60C3FKSA1, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 752-8502PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPW35N60C3FKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

CoolMOS™ C3

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

313 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

150 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de funcionamiento máxima

+150 ºC

Longitud:

16.13mm

Profundidad

5.21mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

21.1mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon SPW35N60C3FKSA1, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

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1

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N

Maximum Continuous Drain Current

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CoolMOS™ C3

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

313 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

150 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de funcionamiento máxima

+150 ºC

Longitud:

16.13mm

Profundidad

5.21mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

21.1mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

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