MOSFET Infineon SPB20N60C3ATMA1, VDSS 650 V, ID 20,7 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 898-6882PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPB20N60C3ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

21,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

208000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

87 nC a 10 V

Profundidad

11.05mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Altura

4.57mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon SPB20N60C3ATMA1, VDSS 650 V, ID 20,7 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

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8P.O.A.
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14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
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Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

208000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

87 nC a 10 V

Profundidad

11.05mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Altura

4.57mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

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