Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente de Carga Máxima
100 mA
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Conmutación
AC/DC
Número de polos
1
Dispositivo de Salida
MOSFET
Serie
PVA33
Dimensiones
9.39 x 6.47 x 3.42mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40°C
Altura
3.4mm
Capacidad
1pF
Longitud:
9.4mm
Rango de temperaturas de funcionamiento
-40 → +85°C
Profundidad
6.5mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Salida de transistor FET y MOSFET, Infineon
La serie PDV13 de Infineon consiste en recambios monopolares de estado sólido, normalmente abiertos, para sustituir los relés electromecánicos que se utilizan para la conmutación de señales analógicas de uso general. Utiliza el MOSFET de potencia HEXFET de Infineon como el conmutador de salida, accionado por un novedoso generador fotovoltaico de circuito integrado.
Funcionamiento sin rebotes
Resistencia desactivada de 1.010 ohmios
1.000 V/μsec dv/dt
Sensibilidad en entrada de 5 mA
Aislamiento de E/S 4.000 Vrms
Fiabilidad de estado sólido
Optocouplers, International Rectifier
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$ 4.263
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 5.072,97
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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50
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InfineonCorriente de Carga Máxima
100 mA
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Conmutación
AC/DC
Número de polos
1
Dispositivo de Salida
MOSFET
Serie
PVA33
Dimensiones
9.39 x 6.47 x 3.42mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40°C
Altura
3.4mm
Capacidad
1pF
Longitud:
9.4mm
Rango de temperaturas de funcionamiento
-40 → +85°C
Profundidad
6.5mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Salida de transistor FET y MOSFET, Infineon
La serie PDV13 de Infineon consiste en recambios monopolares de estado sólido, normalmente abiertos, para sustituir los relés electromecánicos que se utilizan para la conmutación de señales analógicas de uso general. Utiliza el MOSFET de potencia HEXFET de Infineon como el conmutador de salida, accionado por un novedoso generador fotovoltaico de circuito integrado.
Funcionamiento sin rebotes
Resistencia desactivada de 1.010 ohmios
1.000 V/μsec dv/dt
Sensibilidad en entrada de 5 mA
Aislamiento de E/S 4.000 Vrms
Fiabilidad de estado sólido