MOSFET Infineon IRL3103PBF, VDSS 30 V, ID 64 A, TO-220AB de 3 + Tab pines, config. Simple

Name: MOSFET Infineon IRL3103PBF, VDSS 30 V, ID 64 A, TO-220AB de 3 + Tab pines, config. Simple
Brand: Infineon
SKU: 1702241

Código de producto RS: 170-2241Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRL3103PBF

Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

64 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

IRL3103PbF

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

94 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

16 V

Profundidad

4.69mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.54mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

33 nC a 4,5 V

Altura

15.24mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

MOSFET Infineon IRL3103PBF, VDSS 30 V, ID 64 A, TO-220AB de 3 + Tab pines, config. Simple

P.O.A.

MOSFET Infineon IRL3103PBF, VDSS 30 V, ID 64 A, TO-220AB de 3 + Tab pines, config. Simple

Volver a intentar más tarde

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos

Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

64 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

IRL3103PbF

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

94 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

16 V

Profundidad

4.69mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.54mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

33 nC a 4,5 V

Altura

15.24mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V