Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
20 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
430 V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones
10.54 x 4.69 x 15.24mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Encendido para automoción IGBT, Infineon
El IGBT está optimizado para controlar la bobina en entornos exigentes de sistemas de encendido para automoción. En el paquete de semiconductor se incluyen las abrazaderas de tensión activa del colector de puerta y del emisor de puerta del IGBT.
Driver de puerta de nivel lógico con protección contra ESD
Circuitos de driver de bobina de encendido para automoción
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
5
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
20 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
430 V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones
10.54 x 4.69 x 15.24mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Encendido para automoción IGBT, Infineon
El IGBT está optimizado para controlar la bobina en entornos exigentes de sistemas de encendido para automoción. En el paquete de semiconductor se incluyen las abrazaderas de tensión activa del colector de puerta y del emisor de puerta del IGBT.
Driver de puerta de nivel lógico con protección contra ESD
Circuitos de driver de bobina de encendido para automoción
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.