MOSFET Infineon IRFR3910PBF, VDSS 100 V, ID 16 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 178-1505Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFR3910PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-16 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

115 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

79000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

44 nC a 10 V

Altura

2.39mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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P.O.A.

MOSFET Infineon IRFR3910PBF, VDSS 100 V, ID 16 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

75

Disponible en múltiplos de 75
75P.O.A.
150P.O.A.
225P.O.A.
300P.O.A.
375P.O.A.
450P.O.A.
525P.O.A.
600P.O.A.
675P.O.A.
750P.O.A.
825P.O.A.
900P.O.A.
975P.O.A.
1050P.O.A.
1125P.O.A.

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N

Maximum Continuous Drain Current

-16 A

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DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

115 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

79000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud:

6.73mm

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