Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
3.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 10 V
Altura
1.8mm
Serie
IRFL4310PbF
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
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Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
3.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 10 V
Altura
1.8mm
Serie
IRFL4310PbF
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V