Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.65V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 4,5 V
Altura
1.5mm
Series
IRF9910
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 1.346
Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 1.601,74
Each (On a Reel of 4000) (IVA Inc.)
4000
$ 1.346
Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 1.601,74
Each (On a Reel of 4000) (IVA Inc.)
4000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.65V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 4,5 V
Altura
1.5mm
Series
IRF9910
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V