MOSFET Infineon IPT015N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 300 A, HSOF-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-1991Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPT015N10N5ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

300 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

IPT015N10N5

Tipo de Encapsulado

HSOF-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

169 nC a 10 V

Profundidad

10.58mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

2.4mm

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$ 9.163

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 10.903,97

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IPT015N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 300 A, HSOF-8 de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 45.815
10$ 91.630
15$ 137.445
20$ 183.260
25$ 217.625
30$ 261.150
35$ 304.675
40$ 348.200
45$ 391.725
50$ 391.850
55$ 431.035
60$ 470.220
65$ 509.405
70$ 548.590
75$ 587.775

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5

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5$ 45.815
10$ 91.630
15$ 137.445
20$ 183.260
25$ 217.625
30$ 261.150
35$ 304.675
40$ 348.200
45$ 391.725
50$ 391.850
55$ 431.035
60$ 470.220
65$ 509.405
70$ 548.590
75$ 587.775

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 20$ 9.163$ 45.815
25 - 45$ 8.705$ 43.525
50 - 120$ 7.837$ 39.185
125+$ 7.790$ 38.950

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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Encapsulado

HSOF-8

Tipo de montaje

Surface Mount

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

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20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

169 nC a 10 V

Profundidad

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