Transistor MOSFET Infineon IPP110N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 88 A, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
88 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Serie
OptiMOS 3
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.57mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
65 nC a 10 V
Altura
9.45mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Germany
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 9.134
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 10.869,46
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N
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88 A
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.57mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
9.45mm
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-55 °C
País de Origen
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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
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