MOSFET Infineon IPB020N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, TO 263 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-1955Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB020N10N5ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

176 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Series

OptiMOS™ 5

Tipo de Encapsulado

TO 263

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

11.05mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

168 nC a 10 V

Altura

4.57mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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$ 9.479

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 11.280,01

Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

MOSFET Infineon IPB020N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, TO 263 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 47.395
10$ 94.790
15$ 142.185
20$ 189.580
25$ 201.625
30$ 241.950
35$ 282.275
40$ 322.600
45$ 362.925
50$ 403.250
55$ 443.575
60$ 483.900
65$ 524.225
70$ 564.550
75$ 604.875

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5

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5$ 47.395
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15$ 142.185
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25$ 201.625
30$ 241.950
35$ 282.275
40$ 322.600
45$ 362.925
50$ 403.250
55$ 443.575
60$ 483.900
65$ 524.225
70$ 564.550
75$ 604.875

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 20$ 9.479$ 47.395
25 - 95$ 8.065$ 40.325
100 - 245$ 6.987$ 34.935
250 - 495$ 6.618$ 33.090
500+$ 5.935$ 29.675

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N

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Tipo de Encapsulado

TO 263

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

11.05mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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