MOSFET Infineon IPB017N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-263 de 7 + Tab pines, config. Simple

Name: MOSFET Infineon IPB017N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-263 de 7 + Tab pines, config. Simple
Brand: Infineon
SKU: 1711965

Código de producto RS: 171-1965Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB017N10N5ATMA1

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

180 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

IPB017N10N5

Tipo de Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

11.05mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

168 nC a 10 V

Altura

4.57mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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P.O.A.

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Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

180 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

IPB017N10N5

Tipo de Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

11.05mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

168 nC a 10 V

Altura

4.57mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V