IGBT, IGW40T120FKSA1, 75 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
75 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
270 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 21.1 x 5.21mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Germany
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 7.618 | $ 228.540 |
| 60 - 120 | $ 7.312 | $ 219.360 |
| 150+ | $ 6.582 | $ 197.460 |
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270 W
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
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16.13 x 21.1 x 5.21mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura máxima de funcionamiento
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Germany
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
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• VCEsat muy baja
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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