MOSFET Infineon BSZ0909NDXTMA1, VDSS 30 V, ID 20 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines

Código de producto RS: 222-4631Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSZ0909NDXTMA1
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

20,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

OptiMOSTM3

Tipo de Encapsulado

PQFN 3 x 3

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,018 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Silicon

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

MOSFET Infineon BSZ0909NDXTMA1, VDSS 30 V, ID 20 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines

5000

Disponible en múltiplos de 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

P.O.A.

MOSFET Infineon BSZ0909NDXTMA1, VDSS 30 V, ID 20 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines
Volver a intentar más tarde

5000

Disponible en múltiplos de 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

20,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

OptiMOSTM3

Tipo de Encapsulado

PQFN 3 x 3

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,018 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Silicon

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más