MOSFET Infineon BSC196N10NSGATMA1, VDSS 100 V, ID 45 A, TDSON de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 178-7425Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC196N10NSGATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

78 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

5.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Serie

OptiMOS 2

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Datos del producto

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon

La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

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-100 V

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

78 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

5.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Serie

OptiMOS 2

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

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La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.

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