MOSFET Infineon BSC040N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Name: MOSFET Infineon BSC040N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Brand: Infineon
SKU: 1702309
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 170-2309Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC040N10NS5ATMA1

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Series

OptiMOS™ 5

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

139000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

6.35mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.49mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

58 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

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$ 2.291

Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)

$ 2.726,29

Each (On a Reel of 5000) (IVA Inc.)

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5000

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Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

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Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

139000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

6.35mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.49mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

58 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V