MOSFET Infineon BSC035N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Name: MOSFET Infineon BSC035N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Brand: Infineon
SKU: 1702316
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 170-2316Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC035N10NS5ATMA1

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

BSC035N10NS5

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

6.35mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.49mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

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$ 2.563

Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)

$ 3.049,97

Each (On a Reel of 5000) (IVA Incluido)

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5000

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Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

BSC035N10NS5

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

6.35mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.49mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V