MOSFET Infineon 2N7002DWH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.25mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,4 nC a 10 V
Altura
0.8mm
Serie
OptiMOS
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 118
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 140,42
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3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | $ 118 | $ 354.000 |
| 6000 - 12000 | $ 112 | $ 336.000 |
| 15000+ | $ 101 | $ 303.000 |
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N
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SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.25mm
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2
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Material del transistor
Si
Longitud
2mm
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Altura
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Serie
OptiMOS
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