Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
10.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
10.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Profundidad
7.67mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 1.344
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 1.599,36
Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
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2 - 24 | $ 1.344 | $ 2.688 |
26+ | $ 913 | $ 1.826 |
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
10.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
10.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Profundidad
7.67mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto