Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
U-DFN2020
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC @ 8V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.05mm
Profundidad
2.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.58mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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Vuelva a verificar más tarde.
$ 180
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 214,20
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 180
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 214,20
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
U-DFN2020
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC @ 8V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.05mm
Profundidad
2.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.58mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China