MOSFET DiodesZetex DMN2450UFD-7, VDSS 20 V, ID 900 mA, X1-DFN1212 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X1-DFN1212
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
890 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Altura
0.48mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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$ 38
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 45,22
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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N
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X1-DFN1212
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Conteo de Pines
3
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1,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
890 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Altura
0.48mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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