MOSFET DiodesZetex DMJ70H900HJ3, VDSS 700 V, ID 7 A, TO-251 de 3+Tab pines, config. Simple

Name: MOSFET DiodesZetex DMJ70H900HJ3, VDSS 700 V, ID 7 A, TO-251 de 3+Tab pines, config. Simple
Brand: DiodesZetex
SKU: 1333380

Código de producto RS: 133-3380Marca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: DMJ70H900HJ3

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Tipo de Encapsulado

TO-251

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3+Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

900 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

68 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

2.4mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18,4 nC a 10 V

Altura

7.17mm

Serie

DMJ70H900HJ3

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Datos del producto

MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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P.O.A.

MOSFET DiodesZetex DMJ70H900HJ3, VDSS 700 V, ID 7 A, TO-251 de 3+Tab pines, config. Simple

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Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Tipo de Encapsulado

TO-251

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3+Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

900 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

68 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

2.4mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18,4 nC a 10 V

Altura

7.17mm

Serie

DMJ70H900HJ3

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Datos del producto