Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 316
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 376,04
Each (In a Pack of 100) (IVA Incluido)
100
$ 316
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 376,04
Each (In a Pack of 100) (IVA Incluido)
100
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
100 - 400 | $ 316 | $ 31.600 |
500 - 900 | $ 194 | $ 19.400 |
1000 - 2400 | $ 188 | $ 18.800 |
2500 - 4900 | $ 177 | $ 17.700 |
5000+ | $ 167 | $ 16.700 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto