Memoria flash, CFI, Paralelo S29GL064N90TFI040 64Mbit, 4M x 16 bits, 8M x 8 bits, 90ns, TSOP, 48 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
64Mbit
Tipo de Interfaz
CFI, Paralelo
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Organización
4M x 16 bit, 8M x 8 bit
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Número de Palabras
4M, 8M
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16 bit
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
90ns
Datos del producto
Memoria Flash Con Tecnología Mirrorbit, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
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P.O.A.
5
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Organización
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Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Número de Palabras
4M, 8M
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16 bit
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
90ns
Datos del producto
Memoria Flash Con Tecnología Mirrorbit, Cypress Semiconductor (Spansion)
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