Memoria SRAM Infineon, 2Mbit, 128k x 16 bits, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
2Mbit
Organización
128k x 16 bits
Número de Palabras
128K
Número de Bits de Palabra
16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
16bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
44
Dimensiones
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Altura
1.04mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Profundidad
10.26mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
18.51mm
Datos del producto
Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor
Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.
SRAM (Static Random Access Memory)
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P.O.A.
2
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Especificaciones
Tamaño de la Memoria
2Mbit
Organización
128k x 16 bits
Número de Palabras
128K
Número de Bits de Palabra
16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
16bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
44
Dimensiones
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Altura
1.04mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Profundidad
10.26mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.2 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
18.51mm
Datos del producto
Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor
Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.