SRAM Infineon, 1Mbit, 128 K x 8, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
128 K x 8
Número de Palabras
128K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
25ns
Ancho del Bus de Direcciones
17bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
44
Dimensiones
18.517 x 10.262 x 1.044mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.044mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
18.52mm
Profundidad
10.262mm
Datos del producto
RAM no volátil, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
128 K x 8
Número de Palabras
128K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
25ns
Ancho del Bus de Direcciones
17bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
44
Dimensiones
18.517 x 10.262 x 1.044mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
1.044mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
18.52mm
Profundidad
10.262mm
Datos del producto
RAM no volátil, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).