Sensor de proximidad BALLUFF, M8 x 1, alcance 1,5 mm, salida PNP, 12 → 30 V dc, IP67, 1kHz

Código de producto RS: 814-1005Marca: BALLUFFNúmero de parte de fabricante: BES M08MI-PSC15B-S49G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Cuerpo

Barrel

Reverse Polarity Protection

Yes

Protección contra cortocircuitos/sobrecargas

Yes

For Use With HMI

X2

Apantallamiento

Apantallado

Frecuencia de conmutación máxima

1kHz

Tamaño de Rosca

M8 x 1

Tensión DC Máxima

30V

Temperatura Mínima de Operación

-20°C

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+70°C

Índice de protección IP

IP67

Tipo de montaje

Flush

Material de la Carcasa

CuZn

Switching Current

200 mA

Rango de Detección

1.5 mm

Brand

BALLUFF

Output Type

PNP

Tipo de Terminal

Conector M8 de 3 contactos

Longitud:

60mm

Voltaje de suministro

12 → 30 Vdc

País de Origen

Hungary

Datos del producto

IGBT de empaquetado conjunto hasta 20 A, Infineon

Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de Infineon proporcionan al usuario una amplia gama de opciones para garantizar que sus aplicaciones están cubiertas. Las calificaciones de alta eficiencia hacen que esta gama de IGBT pueda usarse en una amplia variedad de aplicaciones y admitir varias frecuencias de conmutación gracias a las bajas pérdidas de conmutación.

IGBT empaquetado conjuntamente con diodo de recuperación ultrarrápido en antiparalelo para utilizar en configuraciones en puente

IGBT Transistors, International Rectifier

International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

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$ 56.015

Each (Sin IVA)

$ 66.658

Each (IVA Incluido)

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 2$ 56.015
3+$ 53.750

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Especificaciones

Tipo de Cuerpo

Barrel

Reverse Polarity Protection

Yes

Protección contra cortocircuitos/sobrecargas

Yes

For Use With HMI

X2

Apantallamiento

Apantallado

Frecuencia de conmutación máxima

1kHz

Tamaño de Rosca

M8 x 1

Tensión DC Máxima

30V

Temperatura Mínima de Operación

-20°C

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+70°C

Índice de protección IP

IP67

Tipo de montaje

Flush

Material de la Carcasa

CuZn

Switching Current

200 mA

Rango de Detección

1.5 mm

Brand

BALLUFF

Output Type

PNP

Tipo de Terminal

Conector M8 de 3 contactos

Longitud:

60mm

Voltaje de suministro

12 → 30 Vdc

País de Origen

Hungary

Datos del producto

IGBT de empaquetado conjunto hasta 20 A, Infineon

Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de Infineon proporcionan al usuario una amplia gama de opciones para garantizar que sus aplicaciones están cubiertas. Las calificaciones de alta eficiencia hacen que esta gama de IGBT pueda usarse en una amplia variedad de aplicaciones y admitir varias frecuencias de conmutación gracias a las bajas pérdidas de conmutación.

IGBT empaquetado conjuntamente con diodo de recuperación ultrarrápido en antiparalelo para utilizar en configuraciones en puente

IGBT Transistors, International Rectifier

International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.