Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 950nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2 pines

Código de producto RS: 654-8570Marca: ams OSRAMNúmero de parte de fabricante: BP 104 FS-Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ams OSRAM

Espectros Detectados

Infrarrojo

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

950nm

Encapsulado

DIP

Tipo de montaje

Surface Mount

Función de amplificador

No

Number of Pins

1

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

800nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Largo

4.5mm

Profundidad

4mm

Altura

1.2mm

Fotosensibilidad de Pico

0.7A/W

Polarity

Forward

Datos del producto

Fotodiodo PIN, área sensible radiante 2,2 x 2,2 mm²

Esta gama de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, tiene un área sensible de 2,2 x 2,2 mm². Están disponibles con o sin filtro de luz diurna.
Estos fotodiodos PIN son ideales para aplicaciones de alta velocidad.

IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors

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P.O.A.

Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 950nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2 pines
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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Función de amplificador

No

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1

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

800nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Largo

4.5mm

Profundidad

4mm

Altura

1.2mm

Fotosensibilidad de Pico

0.7A/W

Polarity

Forward

Datos del producto

Fotodiodo PIN, área sensible radiante 2,2 x 2,2 mm²

Esta gama de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, tiene un área sensible de 2,2 x 2,2 mm². Están disponibles con o sin filtro de luz diurna.
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