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MOSFET

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Detalles Brand Tipo de Canal Corriente Máxima Continua de Drenaje Tensión Máxima Drenador-Fuente Resistencia Máxima Drenador-Fuente Tensión de umbral de puerta máxima Tensión de umbral de puerta mínima Tensión Máxima Puerta-Fuente Tipo de Encapsulado Tipo de Montaje Conteo de Pines Configuración de transistor Modo de Canal Categoría Disipación de Potencia Máxima Capacitancia de Entrada Típica @Vds Carga Típica de Puerta @ Vgs Dimensiones del Cuerpo Tiempo de Retardo de Apagado Típico Serie Tiempo de Retardo de Encendido Típico Transconductancia directa Ancho Altura Longitud: Tensión de diodo directa Temperatura de Funcionamiento Máxima Número de Elementos por Chip Temperatura Mínima de Funcionamiento Material del transistor Estándar de automoción
SiSH402DN-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 35 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix
  • $ 347
  • Cada Uno (En un Riel de 3000)
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Vishay Siliconix No 35 A 30 (canal N) V, -30 (canal P) V 0,008 Ω 1.15V 2.2V ±20 V 1212 Superficie 0 Único Mejora MOSFET de potencia 52000 mW 1700 pF a 15 V 28 nC a 0 → 10 V 3.15 x 3.15 x 1.07mm 25 ns TrenchFET 25 ns 82s 3.15mm 1.07mm 3.15mm 1.2 +150 ºC NC -55 °C Si -
TN2106K1-G N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 (Minimum) V TN2106, 3-Pin SOT-23 Microchip Technology
  • $ 335
  • Cada Uno (En un Riel de 3000)
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Microchip Technology No 280 mA 60 (mínimo) V 5 Ω 2V 0.6V -20 V TO 236AB, TO-236AB Superficie Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 360 mW 35 pF a 25 V - 3.04 x 1.4 x 1.02mm 6 ns TN2106 3 ns - 1.4mm 1.02mm 3.04mm 1.8 +150 ºC NC -55 °C - -
MIC94052YC6-TR Dual P-Channel MOSFET, 2 A, 6 V MIC94052, 6-Pin SC-70 Microchip Technology
  • $ 1.112.280
  • 1 Riel de 3000
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Microchip Technology P 6 A 6.0 V 0,18 Ω 1.2 0.5V -6 V SC-70, SOT Superficie 1 portapuntas, 1 destornillador de impacto, 2 Phillips, 2 ranurados Único - - 270 mW - - 2.2 x 1.35 x 1mm 60 ns MIC94052 4 ns - 1.35mm 1mm 2.2mm - +150 ºC 2 NA -40 ºC - -
DN2470K4-G Dual N-Channel MOSFET, 170 mA, 700 V Depletion DN2470, 4-Pin DPAK Microchip Technology
  • $ 1.124.240
  • 1 Riel de 2000
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Microchip Technology No 170 mA 700 V 42 Ω - - -20 V TO-252 Superficie 4P Único Reducción - 2500 mW 540 (máximo) pF a 25 V - 0.26 x 0.24 x 0.09plg 45 ns DN2470 30 ns - 6.1mm 2.29mm 6.6 1.8 +150 ºC 2 NA -55 °C - -
TN2540N8-G N-Channel MOSFET, 260 mA, 400 (Minimum) V TN2540, 3-Pin TO-243AA Microchip Technology
  • $ 885
  • Cada Uno (En un Riel de 2000)
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Microchip Technology No 260 mA 400 (mínimo) V Ω12 2V 0.6V -20 V TO-243AA Superficie Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 1600 mW 95 pF a 25 V - 4.6 x 2.6 x 1.6mm 25 (máximo) ns TN2540 20 (máximo) ns - 2.6mm 1.55mm 4.6mm 1.8 +150 ºC NC -55 °C - -
TP2540N8-G P-Channel MOSFET, 125 mA, 400 (Minimum) V TP2540, 3-Pin TO-243AA Microchip Technology
  • $ 1.041
  • Cada Uno (En un Riel de 2000)
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Microchip Technology P 125 mA 400 (mínimo) V 30 Ω 2.4V 1V -20 V TO-243AA Superficie Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 1600 mW 60 pF a -25 V - 4.6 x 2.6 x 1.6mm 20 (máximo) ns TP2540 10 (máximo) ns - 2.6mm 1.55mm 4.6mm 1.8 +150 ºC NC -55 °C - -
VN2460N8-G N-Channel MOSFET, 200 mA, 600 (Minimum) V VN2460, 3-Pin TO-243AA Microchip Technology
  • $ 813
  • Cada Uno (En un Riel de 2000)
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Microchip Technology No 0.2 A 600 (mínimo) V 25 Ω 4V 1.5 -20 V TO-243AA Superficie Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 1600 mW 150 (máximo) pF a 25 V - 4.6 x 2.6 x 1.6mm 25 (máximo) ns VN2460 10 (máximo) ns - 2.6mm 1.55mm 4.6mm 1.5 +150 ºC NC -55 °C - -
VP2450N8-G P-Channel MOSFET, 160 mA, 500 (Minimum) V VP2450, 3-Pin SOT-89 Microchip Technology
  • $ 1.124
  • Cada Uno (En un Riel de 2000)
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Microchip Technology P 0.16 A 500 (mínimo) V 35 Ω 3.5V 1.5 -20 V SOT-89 Superficie Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 1600 mW 190 (máximo) pF a -25 V - 4.6 x 2.6 x 1.6mm 45 (máximo) ns VP2450 10 (máximo) ns - 2.6mm 1.55mm 4.6mm 1.8 +150 ºC NC -55 °C - -
2N7000-G N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 (Minimum) V 2N7000, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 263
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 0.2 A 60 (mínimo) V 5.3 Ω 3V 0.8V 30 (canal N) V, -30 (canal P) V TO-92 Pasante Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 1000 mW 60 (máximo) pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 10 (máximo) ns 2N7000 10 (máximo) ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 0.85V +150 ºC NC -55 °C - -
FCU360N65S3R0 N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin IPAK ON Semiconductor
  • $ 874
  • Cada Uno (En Tubo de 75)
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ON Semiconductor No 20 A 650 V 360 mΩ 4.5V 2.5V ±30 V IPAK Pasante Tripolar Único Mejora MOSFET de potencia 83000 mW 730 pF a 400 V 18 nC V a 10 6.8 x 2.5 x 6.3mm 34 ns - 12 ns 6s 2,5 6.35mm 6.8mm 1.2 +150 ºC NC -55 °C - -
DN2625K4-G Dual N-Channel MOSFET, 1.1 A, 250 V Depletion DN2625, 4-Pin DPAK Microchip Technology
  • $ 1.722.240
  • 1 Riel de 2000
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Microchip Technology No 1,1 A 250 Vac 3,5 Ω - - -20 V TO-252 Superficie 4P Único Reducción - - 800 pF a 25 V 7,04 a 1,5 V 0.26 x 0.24 x 0.09plg 10 ns DN2625 10 ns - 6.1mm 2.29mm 6.6 1.8 +150 ºC 2 NA -55 °C - -
VN10KN3-G N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 (Minimum) V VN10K, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 323
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 310 mA 60 (mínimo) V 7,5 Ω 2.5V 0.8V 30 (canal N) V, -30 (canal P) V TO-92 Pasante Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 1000 mW 48 pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 10 (máximo) ns VN10K 10 (máximo) ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 0.8V +150 ºC NC -55 °C - -
TN0106N3-G N-Channel MOSFET, 350 mA, 60 (Minimum) V TN0106, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 526
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 350 mA 60 (mínimo) V 4.5 Ω 2V 0.6V -20 V TO-92 Pasante Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 1000 mW 50 pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 6 ns TN0106 2 ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 1.5 +150 ºC NC -55 °C - -
VN2106N3-G N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 (Minimum) V VN2106, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 263
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 0.3 A 60 (mínimo) V 6 Ω 2.4V 0.8V -20 V TO-92 Pasante Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 1000 mW 35 pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 6 ns VN2106 3 ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 1.8 +150 ºC NC -55 °C - -
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -60V
  • $ 586
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
TN0110N3-G N-Channel MOSFET, 350 mA, 100 (Minimum) V TN0110, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 622
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 350 mA 100 (mínimo) V 4.5 Ω 2V 0.6V -20 V TO-92 Pasante Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 1000 mW 50 pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 6 ns TN0110 2 ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 1.5 +150 ºC NC -55 °C - -
TN2106N3-G N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 (Minimum) V TN2106, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 359
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 0.3 A 60 (mínimo) V 5 Ω 2V 0.6V -20 V TO-92 Pasante Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 740 mW 35 pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 6 ns TN2106 3 ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 1.8 +150 ºC NC -55 °C - -
VN0104N3-G N-Channel MOSFET, 350 mA, 40 (Minimum) V VN0104, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 419
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 350 mA 40 (mínimo) V 5 Ω 2.4V 0.8V -20 V TO-92 Pasante Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 1000 mW 55 pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 6 ns VN0104 3 ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 1.8 +150 ºC NC -55 °C - -
VN0300L-G N-Channel MOSFET, 640 mA, 30 (Minimum) V VN0300, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 753
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 640 mA 30 (mínimo) V 3,3 Ω 2.5V 0.8V 30 (canal N) V, -30 (canal P) V TO-92 Pasante Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 1000 mW 190 (máximo) pF a 20 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 30 (máximo) ns VN0300 30 (máximo) ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 0.9V +150 ºC NC -55 °C - -
2N6661 N-Channel MOSFET, 350 mA, 90 (Minimum) V 2N6661, 3-Pin TO-39 Microchip Technology
  • $ 8.659
  • Cada Uno (En una Bolsa de 500)
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Microchip Technology No 350 mA 90 (mínimo) V 5 Ω 2V 0.8V -20 V TO-39 Pasante Tripolar Único Mejora Controlador MOSFET 6250 mW 50 (máximo) pF a 24 V - 0.37 (Dia.) x 0.26plg 10 (máximo) ns 2N6661 10 (máximo) ns - 9.398 Dia.mm 6.6 - 1.2 +150 ºC NC -55 °C - -
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