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MOSFET

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Detalles Brand Tipo de Canal Corriente Máxima Continua de Drenaje Tensión Máxima Drenador-Fuente Resistencia Máxima Drenador-Fuente Tensión de umbral de puerta máxima Tensión de umbral de puerta mínima Tensión Máxima Puerta-Fuente Tipo de Encapsulado Tipo de Montaje Conteo de Pines Configuración de transistor Modo de Canal Categoría Disipación de Potencia Máxima Capacitancia de Entrada Típica @Vds Carga Típica de Puerta @ Vgs Dimensiones del Cuerpo Tiempo de Retardo de Apagado Típico Serie Tiempo de Retardo de Encendido Típico Transconductancia directa Ancho Altura Longitud: Tensión de diodo directa Ganancia de Potencia Típica Temperatura de Funcionamiento Máxima Número de Elementos por Chip Temperatura Mínima de Funcionamiento Material del transistor Estándar de automoción
Si2319DDS-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V TrenchFET, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix
  • $ 144
  • Cada Uno (En un Riel de 3000)
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Vishay Siliconix P 3,6 A 40 V 0,1 Ω 2.5V 1V ±20 V SOT-23 Montaje superficial 3P Simple Mejora MOSFET de potencia 1,7 W 650 pF a -20 V 12,5 nC a 10 V 3.04 x 1.4 x 1.02mm 20 ns TrenchFET 30 ns 10s 1.4mm 1.02mm 3.04mm 1.2 - 150 °C NC -55 °C Si -
SiSH402DN-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 35 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix
  • $ 347
  • Cada Uno (En un Riel de 3000)
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Vishay Siliconix No 35 A 30 ac 0,008 Ω 1.15V 2.2V ±20 V 1212 Montaje superficial 4 Simple Mejora MOSFET de potencia 52000 mW 1700 pF a 15 V 28 nC a 10 V 3.15 x 3.15 x 1.07mm 25 ns TrenchFET 25 ns 82s 3.15mm 1.07mm 3.15mm 1.2 - 150 °C NC -55 °C Si -
TN2106K1-G N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 (Minimum) V TN2106, 3-Pin SOT-23 Microchip Technology
  • $ 335
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Microchip Technology No 280 mA 60 (mínimo) V 5 Ω 2V 0.6V -20 V TO 236AB, TO-236AB Montaje superficial 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 360 mW 35 pF a 25 V - 3.04 x 1.4 x 1.02mm 6 ns TN2106 3 ns - 1.4mm 1.02mm 3.04mm 1.8 - 150 °C NC -55 °C - -
TP2540N8-G P-Channel MOSFET, 125 mA, 400 (Minimum) V TP2540, 3-Pin TO-243AA Microchip Technology
  • $ 1.041
  • Cada Uno (En un Riel de 2000)
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Microchip Technology P 125 mA 400 (mínimo) V 30 Ω 2.4V 1V -20 V TO-243AA Montaje superficial 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 1600 mW 60 pF a -25 V - 4.6 x 2.6 x 1.6mm 20 (máximo) ns TP2540 10 (máximo) ns - 2.6mm 1.55mm 4.6mm 1.8 - 150 °C NC -55 °C - -
TN2540N8-G N-Channel MOSFET, 260 mA, 400 (Minimum) V TN2540, 3-Pin TO-243AA Microchip Technology
  • $ 885
  • Cada Uno (En un Riel de 2000)
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Microchip Technology No 260 mA 400 (mínimo) V Ω12 2V 0.6V -20 V TO-243AA Montaje superficial 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 1600 mW 95 pF a 25 V - 4.6 x 2.6 x 1.6mm 25 (máximo) ns TN2540 20 (máximo) ns - 2.6mm 1.55mm 4.6mm 1.8 - 150 °C NC -55 °C - -
VN2460N8-G N-Channel MOSFET, 200 mA, 600 (Minimum) V VN2460, 3-Pin TO-243AA Microchip Technology
  • $ 813
  • Cada Uno (En un Riel de 2000)
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Microchip Technology No 0.2 A 600 (mínimo) V 25 Ω 4V 1.5 -20 V TO-243AA Montaje superficial 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 1600 mW 150 (máximo) pF a 25 V - 4.6 x 2.6 x 1.6mm 25 (máximo) ns VN2460 10 (máximo) ns - 2.6mm 1.55mm 4.6mm 1.5 - 150 °C NC -55 °C - -
VP2450N8-G P-Channel MOSFET, 160 mA, 500 (Minimum) V VP2450, 3-Pin SOT-89 Microchip Technology
  • $ 1.124
  • Cada Uno (En un Riel de 2000)
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Microchip Technology P 0.16 A 500 (mínimo) V 35 Ω 3.5V 1.5 -20 V SOT-89 Montaje superficial 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 1600 mW 190 (máximo) pF a -25 V - 4.6 x 2.6 x 1.6mm 45 (máximo) ns VP2450 10 (máximo) ns - 2.6mm 1.55mm 4.6mm 1.8 - 150 °C NC -55 °C - -
FCU360N65S3R0 N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin IPAK ON Semiconductor
  • $ 874
  • Cada Uno (En Tubo de 75)
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ON Semiconductor No 0,27 (dc), 3 (ac) 650 V 360 mΩ 4.5V 2.5V ±30 V IPAK Montaje en orificio pasante 3P Simple Mejora MOSFET de potencia 83000 mW 730 pF a 400 V 18 nC V a 10 6.8 x 2.5 x 6.3mm 34 ns - 12 ns 6s 2.5 6.35mm 6.8mm 1.2 - 150 °C NC -55 °C - -
2N7000-G N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 (Minimum) V 2N7000, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 263
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 0.2 A 60 (mínimo) V 5.3 Ω 3V 0.8V 30 ac TO-92 Montaje en orificio pasante 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 1, 1 W 60 (máximo) pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 10 (máximo) ns 2N7000 10 (máximo) ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 0.85V - 150 °C NC -55 °C - -
VN10KN3-G N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 (Minimum) V VN10K, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 323
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 310 mA 60 (mínimo) V 7,5 Ω 2.5V 0.8V 30 ac TO-92 Montaje en orificio pasante 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 1, 1 W 48 pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 10 (máximo) ns VN10K 10 (máximo) ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 0.8V - 150 °C NC -55 °C - -
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -60V
  • $ 586
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
TN0110N3-G N-Channel MOSFET, 350 mA, 100 (Minimum) V TN0110, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 622
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 350 mA 100 (mínimo) V 4.5 Ω 2V 0.6V -20 V TO-92 Montaje en orificio pasante 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 1, 1 W 50 pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 6 ns TN0110 2 ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 1.5 - 150 °C NC -55 °C - -
TN0106N3-G N-Channel MOSFET, 350 mA, 60 (Minimum) V TN0106, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 526
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 350 mA 60 (mínimo) V 4.5 Ω 2V 0.6V -20 V TO-92 Montaje en orificio pasante 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 1, 1 W 50 pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 6 ns TN0106 2 ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 1.5 - 150 °C NC -55 °C - -
VN2106N3-G N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 (Minimum) V VN2106, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 263
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 0.3 A 60 (mínimo) V 6 Ω 2.4V 0.8V -20 V TO-92 Montaje en orificio pasante 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 1, 1 W 35 pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 6 ns VN2106 3 ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 1.8 - 150 °C NC -55 °C - -
TN2106N3-G N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 (Minimum) V TN2106, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 359
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 0.3 A 60 (mínimo) V 5 Ω 2V 0.6V -20 V TO-92 Montaje en orificio pasante 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 740 mW 35 pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 6 ns TN2106 3 ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 1.8 - 150 °C NC -55 °C - -
VN0104N3-G N-Channel MOSFET, 350 mA, 40 (Minimum) V VN0104, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 419
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 350 mA 40 (mínimo) V 5 Ω 2.4V 0.8V -20 V TO-92 Montaje en orificio pasante 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 1, 1 W 55 pF a 25 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 6 ns VN0104 3 ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 1.8 - 150 °C NC -55 °C - -
VN0300L-G N-Channel MOSFET, 640 mA, 30 (Minimum) V VN0300, 3-Pin TO-92 Microchip Technology
  • $ 753
  • Cada Uno (En una Bolsa de 1000)
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Microchip Technology No 640 mA 30 (mínimo) V 3,3 Ω 2.5V 0.8V 30 ac TO-92 Montaje en orificio pasante 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 1, 1 W 190 (máximo) pF a 20 V - 0.2 x 0.16 x 0.21plg 30 (máximo) ns VN0300 30 (máximo) ns - 4.06mm 5.33mm 5.08mm 0.9V - 150 °C NC -55 °C - -
FCP125N65S3R0 N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V, 3-Pin TO-220 ON Semiconductor
  • $ 1.942
  • Cada Uno (En Tubo de 50)
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ON Semiconductor No 50 A 650 V 0,125 Ω 4.5V 2.5V ±30 V TO-220 Montaje en orificio pasante 3P Simple Mejora MOSFET de potencia 181 W 1940 pF a 400 V 46 nC a 10 V 10.67 x 4.7 x 16.3mm 48 ns - 21 ns 16s 4.7 16.3mm 10.67mm 1.2 - 150 °C NC -55 °C - -
2N6661 N-Channel MOSFET, 350 mA, 90 (Minimum) V 2N6661, 3-Pin TO-39 Microchip Technology
  • $ 8.659
  • Cada Uno (En una Bolsa de 500)
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Microchip Technology No 350 mA 90 (mínimo) V 5 Ω 2V 0.8V -20 V TO-39 Montaje en orificio pasante 3P Simple Mejora Controlador MOSFET 6250 mW 50 (máximo) pF a 24 V - 0.37 (Dia.) x 0.26plg 10 (máximo) ns 2N6661 10 (máximo) ns - 9.398 Dia.mm 6.6 - 1.2 - 150 °C NC -55 °C - -
NTHL065N65S3F N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-Pin TO-247 ON Semiconductor
  • $ 4.855
  • Cada Uno (En Tubo de 30)
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ON Semiconductor No 46 A 650 V 65 mΩ 5 3V ±30 V TO-247 Montaje en orificio pasante 3P Simple Mejora MOSFET de potencia 337 W 4075 pF a 400 V 98 nC a 10 V 15.87 x 4.82 x 20.82mm 78 ns - 34 ns 31s 4.82mm 20.82mm 15.87mm 1.3V - 150 °C NC -55 °C - -
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