Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
87 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
Paquete de seis
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
28
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
63 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
312000 mW
Transistor Configuration
3 Phase
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
6
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
108mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Ancho
47mm
Material del transistor
SiC
Tensión de diodo directa
2.3V
Altura
17mm
Datos del producto
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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$ 672.571
Each (Sin IVA)
$ 800.359
Each (IVA Incluido)
1
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1
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Especificaciones
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WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
87 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
Paquete de seis
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
28
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
63 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
312000 mW
Transistor Configuration
3 Phase
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
6
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
108mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Ancho
47mm
Material del transistor
SiC
Tensión de diodo directa
2.3V
Altura
17mm
Datos del producto
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos