Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
325 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Tipo de Encapsulado
Half Bridge
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.76 kW
Transistor Configuration
Series
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Material del transistor
SiC
Ancho
61.4mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
106.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1076 nC a 20 V, 1076 nC a 5 V
Altura
30mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Tensión de diodo directa
2.5V
Datos del producto
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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$ 1.194.294
Each (Sin IVA)
$ 1.421.210
Each (IVA Incluido)
1
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Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
325 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Tipo de Encapsulado
Half Bridge
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.76 kW
Transistor Configuration
Series
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Material del transistor
SiC
Ancho
61.4mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
106.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1076 nC a 20 V, 1076 nC a 5 V
Altura
30mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Tensión de diodo directa
2.5V
Datos del producto
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos