MOSFET Wolfspeed C3M0280090D, VDSS 900 V, ID 11,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 162-9714Marca: WolfspeedNúmero de parte de fabricante: C3M0280090D
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Wolfspeed

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

11.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

900 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

360 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.8V

Disipación de Potencia Máxima

54 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +18 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

SiC

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9,5 nC a 15 V

Profundidad

21.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

4.8V

Altura

5.21mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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$ 4.281

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 5.094,39

Each (In a Tube of 30) (IVA Incluido)

MOSFET Wolfspeed C3M0280090D, VDSS 900 V, ID 11,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 128.430
60$ 256.860
90$ 385.290
120$ 513.720
150$ 625.500
180$ 750.600
210$ 875.700
240$ 1.000.800
270$ 1.125.900
300$ 1.220.100
330$ 1.342.110
360$ 1.464.120
390$ 1.586.130
420$ 1.708.140
450$ 1.830.150

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
30 - 120$ 4.281$ 128.430
150 - 270$ 4.170$ 125.100
300+$ 4.067$ 122.010

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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

360 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.8V

Disipación de Potencia Máxima

54 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +18 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

SiC

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9,5 nC a 15 V

Profundidad

21.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

4.8V

Altura

5.21mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
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