MOSFET Wolfspeed C3M0120100J, VDSS 1.000 V, ID 22 A, TO-263-7 de 7 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 150-3965Marca: WolfspeedNúmero de parte de fabricante: C3M0120100J
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Wolfspeed

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

22,4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1000 V

Tipo de Encapsulado

TO-263-7

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

170 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.8V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+15 V, +9 V.

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

SiC

Longitud

10.23mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21,5 a 4/+15 V

Profundidad

9.12mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

4.8V

Altura

4.32mm

Serie

C3M

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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$ 15.779

Each (Sin IVA)

$ 18.777

Each (IVA Incluido)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 15.779
2$ 31.558
3$ 47.337
4$ 63.116
5$ 78.895
6$ 94.674
7$ 110.453
8$ 126.232
9$ 142.011
10$ 140.690
11$ 154.759
12$ 168.828
13$ 182.897
14$ 196.966
15$ 211.035

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8$ 126.232
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10$ 140.690
11$ 154.759
12$ 168.828
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10 - 19$ 14.069
20 - 39$ 13.777
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N

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TO-263-7

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

170 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.8V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+15 V, +9 V.

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

SiC

Longitud

10.23mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21,5 a 4/+15 V

Profundidad

9.12mm

Número de Elementos por Chip

1

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