MOSFET Wolfspeed C3M0065090D, VDSS 900 V, ID 36 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 915-8836Marca: WolfspeedNúmero de parte de fabricante: C3M0065090D
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Wolfspeed

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

36 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

900 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

78 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.8V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +18 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30,4 nC a 15 V

Profundidad

21.1mm

Material del transistor

SiC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

5.21mm

Tensión de diodo directa

4.8V

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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$ 20.892

Each (Sin IVA)

$ 24.861

Each (IVA Incluido)

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Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 20.892
2$ 41.784
3$ 62.676
4$ 83.568
5$ 98.835
6$ 118.602
7$ 138.369
8$ 158.136
9$ 177.903
10$ 192.710
11$ 211.981
12$ 231.252
13$ 250.523
14$ 269.794
15$ 289.065

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7$ 138.369
8$ 158.136
9$ 177.903
10$ 192.710
11$ 211.981
12$ 231.252
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5 - 9$ 19.767
10 - 29$ 19.271
30 - 89$ 18.730
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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

78 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.8V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

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Single

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1

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30,4 nC a 15 V

Profundidad

21.1mm

Material del transistor

SiC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

5.21mm

Tensión de diodo directa

4.8V

País de Origen

China

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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
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