Diodo, C3D03065E, 11.5A, 650V Schottky SiC, DPAK (TO-252), 3-Pines 2.4V, Schottky SiC
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Corriente Continua Máxima Directa
11.5A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
650V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
SiC Schottky
Conteo de Pines
3
Caída de tensión directa máxima
2.4V
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
SiC Schottky
PRICED TO CLEAR
Yes
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
100A
Datos del producto
Diodos Schottky de carburo de silicio Z-Rec™, Wolfspeed
Una gama de diodos Schottky SiC (carburo de silicio) de Wolfspeed que ofrece mejoras significativas con respecto a los diodos de barrera Schottky estándar. Los diodos SiC proporcionan una intensidad de campo de ruptura mucho mayor y mayor conductividad térmica junto con una reducción significativa de pérdida de potencia en frecuencias de conmutación altas. Los diodos SiC son la elección perfecta en aplicaciones de alta eficacia y alta tensión como fuentes de alimentación de modo conmutado e inversores de alta velocidad.
• Tensiones nominales de 600, 650, 1.200 y 1.700
• Corriente de recuperación inversa cero y tensión de recuperación directa
• Comportamiento de conmutación independiente de temperatura
• Tiempos de conmutación muy rápidos con pérdidas mínimas
• Tensión directa de coeficiente de temperatura positivo
• Los dispositivos se pueden conectar en paralelo sin desbordamiento térmico
• Reducción de los requisitos de disipación térmica
• Optimizado para aplicaciones de diodo de impulso PFC
Diodes and Rectifiers, Cree Wolfspeed
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P.O.A.
75
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Single
Tipo de Diodo
SiC Schottky
Conteo de Pines
3
Caída de tensión directa máxima
2.4V
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
SiC Schottky
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Yes
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
100A
Datos del producto
Diodos Schottky de carburo de silicio Z-Rec™, Wolfspeed
Una gama de diodos Schottky SiC (carburo de silicio) de Wolfspeed que ofrece mejoras significativas con respecto a los diodos de barrera Schottky estándar. Los diodos SiC proporcionan una intensidad de campo de ruptura mucho mayor y mayor conductividad térmica junto con una reducción significativa de pérdida de potencia en frecuencias de conmutación altas. Los diodos SiC son la elección perfecta en aplicaciones de alta eficacia y alta tensión como fuentes de alimentación de modo conmutado e inversores de alta velocidad.
• Tensiones nominales de 600, 650, 1.200 y 1.700
• Corriente de recuperación inversa cero y tensión de recuperación directa
• Comportamiento de conmutación independiente de temperatura
• Tiempos de conmutación muy rápidos con pérdidas mínimas
• Tensión directa de coeficiente de temperatura positivo
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