MOSFET Wolfspeed C2M1000170J, VDSS 1700 V, ID 5,3 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 162-9710Marca: WolfspeedNúmero de parte de fabricante: C2M1000170J
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Wolfspeed

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

5.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1700 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

78 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-10 V, +25 V

Ancho

10.99mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

SiC

Longitud

10.23mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 20 V

Altura

4.57mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

3.8V

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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$ 10.166

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 12.097,54

Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)

MOSFET Wolfspeed C2M1000170J, VDSS 1700 V, ID 5,3 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, , config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 508.300
100$ 1.016.600
150$ 1.524.900
200$ 2.033.200
250$ 2.541.500
300$ 3.049.800
350$ 3.558.100
400$ 4.066.400
450$ 4.574.700
500$ 5.083.000
550$ 5.591.300
600$ 6.099.600
650$ 6.607.900
700$ 7.116.200
750$ 7.624.500

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

78 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-10 V, +25 V

Ancho

10.99mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

SiC

Longitud

10.23mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 20 V

Altura

4.57mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

3.8V

País de Origen

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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
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