MOSFET Wolfspeed C2M1000170D, VDSS 1700 V, ID 5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
69 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-5 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 20 V, 13 nC a 5 V
Ancho
5.21mm
Material del transistor
SiC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
3.8V
Altura
21.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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$ 10.899
Each (Sin IVA)
$ 12.970
Each (IVA Incluido)
1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
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| 5 - 9 | $ 10.271 |
| 10 - 29 | $ 10.081 |
| 30 - 89 | $ 9.803 |
| 90+ | $ 9.526 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
69 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-5 V, +20 V
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1
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Largo
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Ancho
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Material del transistor
SiC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Tensión de diodo directa
3.8V
Altura
21.1mm
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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
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