MOSFET Wolfspeed C2M0025120D, VDSS 1.200 V, ID 90 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 915-8818Marca: WolfspeedNúmero de parte de fabricante: C2M0025120D
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Wolfspeed

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

34 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

463 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+25 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

161 nC a 20 V

Ancho

21.1mm

Material del transistor

SiC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

3.3V

Altura

5.21mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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$ 73.941

Each (Sin IVA)

$ 87.990

Each (IVA Incluido)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 73.941
2$ 147.882
3$ 221.823
4$ 295.764
5$ 369.705
6$ 443.646
7$ 517.587
8$ 591.528
9$ 665.469
10$ 739.410
11$ 813.351
12$ 887.292
13$ 961.233
14$ 1.035.174
15$ 1.109.115

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7$ 517.587
8$ 591.528
9$ 665.469
10$ 739.410
11$ 813.351
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N

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90 A

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Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

34 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

463 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+25 V

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1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

161 nC a 20 V

Ancho

21.1mm

Material del transistor

SiC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

3.3V

Altura

5.21mm

País de Origen

China

Datos del producto

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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
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