Diodo, VS-HFA50PA60C-N3, Rectificador de recuperación, 50A, 600V Conexión de silicio, 75ns, TO-247AC, 3-Pines 2V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Corriente Continua Máxima Directa
50A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
600V
Configuración de diodo
Cátodo común
Tipo de Rectificador
Rectificador de recuperación
Tipo de Diodo
Rectifier
Conteo de Pines
3
Caída de tensión directa máxima
2V
Número de Elementos por Chip
2
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
75ns
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
225A
Datos del producto
Rectificadores de recuperación ultrarrápida HEXFRED®, Vishay Semiconductor
La gama de productos HEXFRED® de Vishay está formada por rectificadores de recuperación ultrarrápida con una estructura interna basada en una barrera Schottky propia que proporciona una recuperación fácil y rápida en cualquier condición de diF/dt. Estas características hacen que los productos HEXFRED® sean ideales para uso con un diodo complementario para IGBT y MOSFET.
Características
Tiempo de recuperación ultrarrápido
Recuperación fácil
IRRM muy baja
Qrr muy baja
Interferencias de radiofrecuencia (RFI) e interferencias electromagnéticas (EMI) reducidas
Menor pérdida de potencia en el diodo y en el transistor de conmutación
Amortiguación reducida
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
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$ 14.081
$ 14.081 Each (Sin IVA)
$ 16.756
$ 16.756 Each (IVA Inc.)
1
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Volver a intentar más tarde
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 14.081 |
| 10 - 24 | $ 13.388 |
| 25 - 49 | $ 12.663 |
| 50 - 99 | $ 11.970 |
| 100+ | $ 11.261 |
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Tipo de Diodo
Rectifier
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3
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Número de Elementos por Chip
2
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Silicon Junction
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
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Rectificadores de recuperación ultrarrápida HEXFRED®, Vishay Semiconductor
La gama de productos HEXFRED® de Vishay está formada por rectificadores de recuperación ultrarrápida con una estructura interna basada en una barrera Schottky propia que proporciona una recuperación fácil y rápida en cualquier condición de diF/dt. Estas características hacen que los productos HEXFRED® sean ideales para uso con un diodo complementario para IGBT y MOSFET.
Características
Tiempo de recuperación ultrarrápido
Recuperación fácil
IRRM muy baja
Qrr muy baja
Interferencias de radiofrecuencia (RFI) e interferencias electromagnéticas (EMI) reducidas
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