Diodo de conmutación, VS-8EWS08STR-M3 Conexión de silicio, DPAK (TO-252), 3-Pines 1.1V

Código de producto RS: 700-3784PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: VS-8EWS08STR-M3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Configuración de diodo

Single

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de Elementos por Chip

1

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tecnología de diodo

Silicon Junction

Número de pines

3

Caída de tensión directa máxima

1.1V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22mm

Altura

2.39mm

Dimensiones

2.39 x 6.73 x 6.22mm

Datos del producto

Rectificadores de recuperación rápida de 1,4 A a 20 A, Vishay Semiconductor

Diodos de potencia de recuperación rápida versátiles y de alta eficacia en tipos de encapsulado estándar del sector.

Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

Diodo de conmutación, VS-8EWS08STR-M3 Conexión de silicio, DPAK (TO-252), 3-Pines 1.1V
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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Tecnología de diodo

Silicon Junction

Número de pines

3

Caída de tensión directa máxima

1.1V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22mm

Altura

2.39mm

Dimensiones

2.39 x 6.73 x 6.22mm

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