Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
920nm
Tipo de montaje
Surface Mount
Función de amplificador
No
Number of Pins
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
780nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1050nm
Tiempo de Bajada Típico
100ns
Longitud:
3mm
Ancho
2mm
Altura
1mm
Serie
VEMD109
Breakdown Voltage
32V
Corriente de cortocircuito
3µA
Polarity
Positivo
Typical Rise Time
100ns
País de Origen
China
Datos del producto
Fotodiodos PIN serie VEMD10940
La serie VEMD10940F, de Vishay Semiconductor, es un fotodiodo PIN de silicio. Se suministra en un encapsulado de montaje superficial (SMD) de vista lateral en miniatura (SL). Su lente de cúpula tiene un filtro de luz diurna. Las aplicaciones adecuadas para el VEMD10940F incluyen detectores de luz de alta velocidad, control remoto por infrarrojos, transmisión de datos por infrarrojos, fotointerruptores y paneles táctiles IR.
Características del fotodiodo VEMD10940F:
Montaje en superficie (SMD)
Encapsulado de recepción lateral
Dimensiones: 3 x 2 x 1 mm
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 75 °
IR Photodiodes, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
100
P.O.A.
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Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
920nm
Tipo de montaje
Surface Mount
Función de amplificador
No
Number of Pins
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
780nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1050nm
Tiempo de Bajada Típico
100ns
Longitud:
3mm
Ancho
2mm
Altura
1mm
Serie
VEMD109
Breakdown Voltage
32V
Corriente de cortocircuito
3µA
Polarity
Positivo
Typical Rise Time
100ns
País de Origen
China
Datos del producto
Fotodiodos PIN serie VEMD10940
La serie VEMD10940F, de Vishay Semiconductor, es un fotodiodo PIN de silicio. Se suministra en un encapsulado de montaje superficial (SMD) de vista lateral en miniatura (SL). Su lente de cúpula tiene un filtro de luz diurna. Las aplicaciones adecuadas para el VEMD10940F incluyen detectores de luz de alta velocidad, control remoto por infrarrojos, transmisión de datos por infrarrojos, fotointerruptores y paneles táctiles IR.
Características del fotodiodo VEMD10940F:
Montaje en superficie (SMD)
Encapsulado de recepción lateral
Dimensiones: 3 x 2 x 1 mm
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 75 °