Fotodiodo de silicio Vishay VEMD109, IR, λ sensibilidad máx. 920nm, mont. superficial de 2 pines

Código de producto RS: 818-4415PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: VEMD10940F
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Espectros Detectados

Infrarrojo

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

920nm

Tipo de montaje

Surface Mount

Función de amplificador

No

Number of Pins

1

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

780nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1050nm

Tiempo de Bajada Típico

100ns

Longitud:

3mm

Ancho

2mm

Altura

1mm

Serie

VEMD109

Breakdown Voltage

32V

Corriente de cortocircuito

3µA

Polarity

Positivo

Typical Rise Time

100ns

País de Origen

China

Datos del producto

Fotodiodos PIN serie VEMD10940

La serie VEMD10940F, de Vishay Semiconductor, es un fotodiodo PIN de silicio. Se suministra en un encapsulado de montaje superficial (SMD) de vista lateral en miniatura (SL). Su lente de cúpula tiene un filtro de luz diurna. Las aplicaciones adecuadas para el VEMD10940F incluyen detectores de luz de alta velocidad, control remoto por infrarrojos, transmisión de datos por infrarrojos, fotointerruptores y paneles táctiles IR.

Características del fotodiodo VEMD10940F:
Montaje en superficie (SMD)
Encapsulado de recepción lateral
Dimensiones: 3 x 2 x 1 mm
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 75 °

IR Photodiodes, Vishay Semiconductor

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Fotodiodo de silicio Vishay VEMD109, IR, λ sensibilidad máx. 920nm, mont. superficial de 2 pines
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Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

780nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1050nm

Tiempo de Bajada Típico

100ns

Longitud:

3mm

Ancho

2mm

Altura

1mm

Serie

VEMD109

Breakdown Voltage

32V

Corriente de cortocircuito

3µA

Polarity

Positivo

Typical Rise Time

100ns

País de Origen

China

Datos del producto

Fotodiodos PIN serie VEMD10940

La serie VEMD10940F, de Vishay Semiconductor, es un fotodiodo PIN de silicio. Se suministra en un encapsulado de montaje superficial (SMD) de vista lateral en miniatura (SL). Su lente de cúpula tiene un filtro de luz diurna. Las aplicaciones adecuadas para el VEMD10940F incluyen detectores de luz de alta velocidad, control remoto por infrarrojos, transmisión de datos por infrarrojos, fotointerruptores y paneles táctiles IR.

Características del fotodiodo VEMD10940F:
Montaje en superficie (SMD)
Encapsulado de recepción lateral
Dimensiones: 3 x 2 x 1 mm
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 75 °

IR Photodiodes, Vishay Semiconductor