Diodo, V4PAN50-M3/I, Rectificador Schottky, 4A, 50V Barrera Schottky, DO-221BC, 2-Pines 590mV
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DO-221BC
Corriente Continua Máxima Directa
4A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
50V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Rectificador
Rectificador Schottky
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
590mV
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Barrera Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
80A
País de Origen
China
Datos del producto
TMBS - Rectificadores de barrera Schottky MOS tipo trinchera, hasta 20 A, Vishay Semiconductor
Los rectificadores de barrera Schottky MOS tipo trinchera (TMBS) de Vishay cuentan con una estructura de tipo trinchera patentada. Los rectificadores TMBS ofrecen varias ventajas respecto a los rectificadores Schottky de tecnología planar. A tensiones de funcionamiento de 45 V y superiores, los rectificadores Schottky de tecnología planar pueden perder sus ventajas de altas velocidades de conmutación y baja caída directa de tensión a un nivel importante. La estructura TMBS patentada resuelve estos problemas al disminuir la inyección de portadores minoritarios a la zona de derivación, de manera que se minimizan las cargas almacenadas y se mejoran las velocidades de conmutación.
Características
Estructura tipo trinchera patentada
Eficiencia mejorada en fuentes de alimentación de modo conmutado ac/dc y convertidores dc/dc
Alta densidad de potencia y baja tensión directa
Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
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Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
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Los rectificadores de barrera Schottky MOS tipo trinchera (TMBS) de Vishay cuentan con una estructura de tipo trinchera patentada. Los rectificadores TMBS ofrecen varias ventajas respecto a los rectificadores Schottky de tecnología planar. A tensiones de funcionamiento de 45 V y superiores, los rectificadores Schottky de tecnología planar pueden perder sus ventajas de altas velocidades de conmutación y baja caída directa de tensión a un nivel importante. La estructura TMBS patentada resuelve estos problemas al disminuir la inyección de portadores minoritarios a la zona de derivación, de manera que se minimizan las cargas almacenadas y se mejoran las velocidades de conmutación.
Características
Estructura tipo trinchera patentada
Eficiencia mejorada en fuentes de alimentación de modo conmutado ac/dc y convertidores dc/dc
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